Macom, azienda leader nei prodotti a semiconduttori ad alte prestazioni RF, microonde, onde millimetriche e lightwave, e STMicroelectronics hanno annunciato un accordo per lo sviluppo di fette (wafer) di nitruro di gallio (GaN) su silicio che saranno prodotti dal gruppo italo-francese e utilizzati da Macom in numerose applicazioni RF.
Oltre ad ampliare le fonti di approvvigionamento di Macom, l’accordo assegna a Stm il diritto di produrre e commercializzare propri prodotti con tecnologia GaN-on-Silicon in mercati RF al di fuori dei settori della telefonia cellulare, delle stazioni base wireless e delle relative applicazioni per infrastrutture di telecomunicazione commerciali.
Grazie a questo accordo, Macom avrà accesso a una più ampia capacità produttiva per le fette di silicio e a una struttura di costi migliore, che potrebbe permettere di sostituire gli attuali LDMOS di silicio e di accelerare l’adozione della tecnologia GaN-on-Silicon nei mercati tradizionalmente più ampi.
Si ricorda che Stm e Macom collaborano già da diversi anni per rafforzare la produzione GaN-on-Silicon negli impianti di fette CMOS del gruppo italo-francese. In base alle tempistiche previste attualmente, la produzione di campioni da parte di Stm dovrebbe iniziare nel 2018.
