STMicroelectronics e Leti, istituto di ricerca di CEA Tech, hanno annunciato una collaborazione finalizzata a industrializzare tecnologie GaN-on-Silicon (nitruro di gallio su silicio) per dispositivi di commutazione di potenza.
Questa tecnologia di potenza GaN-on-Si permetterà a Stm di supportare applicazioni ad alta efficienza e ad alta potenza quali caricatori a bordo auto per veicoli ibridi ed elettrici, soluzioni di ricarica wireless e server.
La collaborazione verte principalmente sullo sviluppo e la qualificazione di architetture di potenza avanzate di diodi e transistor GaN-on-Silicon su fette di silicio da 200 mm, un mercato per il quale la società di ricerca IHS Markit prevede una crescita con un CAGR di oltre il 20% tra il 2019 e il 2024.
STMicroelectronics ha inoltre annunciato il suo ingresso negli indici di sostenibilità Dow Jones (DJSI) World e Europe. Con un punteggio totale di 81 punti su 100, Stm si è classificata nel primo 10% delle aziende globali di semiconduttori invitate a partecipare al DJSI.
