STMicroelectronics ha prodotto le prime fette in carburo di silicio (SiC) da 200 mm (equivalenti a 8 pollici) per la prototipazione di dispositivi di potenza di nuova generazione nel suo stabilimento di Norrköping, in Svezia.
“La transizione verso le fette in SiC da 200 mm segna una tappa importante nell’espansione della capacità produttiva di ST a supporto dei suoi programmi per i clienti dei settori automotive e industriale, oltre a consolidare la leadership di ST in una tecnologia a semiconduttore di portata dirompente, perché permette di realizzare dispositivi elettronici di potenza più compatti, leggeri ed efficienti con un costo totale di proprietà (TCO) più basso”, spiega la Società.
“Oltre ad essere tra le prime al mondo, le fette in SiC da 200 mm di ST si caratterizzano per una qualità molto elevata, con difetti minimi in termini di dislocazione dei cristalli e impatto sulla resa. ST, in collaborazione con partner tecnologici che coprono l’intera filiera, sta sviluppando proprie attrezzature e processi per la fabbricazione di SiC da 200 mm.
Attualmente, ST produce dispositivi SiC STPOWER di alta qualità e in volumi elevati su due linee per substrati da 150 mm negli stabilimenti di Catania e Ang Mo Kio (Singapore), mentre le operazioni di assemblaggio e collaudo si svolgono nei siti back-end di Shenzhen (Cina) e Bouskoura (Marocco).
Il nuovo sviluppo si colloca nell’ambito della transizione pianificata dall’azienda verso una produzione in alti volumi più avanzata ed economicamente efficiente di SiC da 200 mm, transizione che rientra nel piano già avviato dalla Società per realizzare un nuovo impianto di substrati in SiC e arrivare all’approvvigionamento interno di oltre il 40% delle fette in SiC entro il 2024”.
