STMicroelectronics (ST) annuncia un nuovo impianto per la produzione in grandi volumi di carburo di silicio (“SiC”) da 200 mm per dispositivi e moduli di potenza, nonché per attività di test e packaging, che sarà costruito a Catania.
Insieme all’impianto di produzione di substrati in SiC in allestimento nello stesso sito, questi impianti formeranno il Silicon Carbide Campus di ST, realizzando la visione dell’azienda di una completa integrazione verticale degli impianti manifatturieri per la produzione su larga scala su SiC in un unico sito.
La creazione del nuovo SiC campus rappresenta una tappa fondamentale per supportare la domanda di dispositivi SiC per applicazioni automotive, industriali e di infrastruttura cloud da parte dei clienti che passano all’elettrificazione e cercano maggiore efficienza.
Questo centro sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in grandi volumi di fette in SiC da 200 mm con tutti i passaggi del processo – substrato, epitassia e front-end, e back-end – condotti con l’utilizzo di tecnologie a 200 mm per raggiungere rese e prestazioni superiori.
Gli obiettivi per il nuovo impianto sono l’avvio della produzione nel 2026 e il ramp-up alla piena capacità entro il 2033, con una produzione a regime (full built-out) fino a 15.000 wafer a settimana. Si prevede un investimento totale intorno ai 5 miliardi, con un sostegno finanziario di circa 2 miliardi da parte dello Stato italiano nel quadro del Chips Act dell’Unione Europea. La sostenibilità è parte integrante della progettazione, dello sviluppo e delle attività operative del SiC Campus, a garanzia del consumo responsabile di risorse come acqua ed elettricità.
