STM ha siglato un accordo con Soitec, azienda francese specializzata nella produzione di materiali semiconduttori innovativi, per una nuova fase della loro collaborazione sui substrati in SiC (carburo di silicio).
L’obiettivo è l’adozione da parte di STM della tecnologia SmartSiC di Soitec per il suo progetto di produzione di substrati da 200 mm, che andranno ad alimentare le sue attività di produzione di dispositivi e moduli, con una produzione in volumi prevista a medio termine.
La tecnologia SiC è un materiale semiconduttore innovativo, applicabile in processi industriali e nella mobilità elettrica. Il nuovo progetto a 200 mm sostituisce il precedente a 150 mm, portando quasi a raddoppiare la capacità e l’efficienza, a fronte di una riduzione delle dimensioni.
Secondo Marco Monti, Presidente di Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics, il passaggio ai SiC da 200 mm apporterà vantaggi sostanziali ai clienti dei settori automotive e industriale in vista della transizione verso l’elettrico. Ha inoltre affermato di aver scelto un modello integrato verticalmente per massimizzare il know-how aziendale nell’intera catena di produzione.
